在深紫外（DUV）及更先进的光刻工艺中，器件的特征尺寸不断缩小，对工艺环境的纯净度提出了近乎苛刻的要求。实践表明，氨气（NH₃）、盐酸（HCl）、（HF）等痕量空气分子污染物（AMC），即使浓度低至ppb级，也足以在晶圆表面发生化学反应，导致光刻胶中毒、关键尺寸（CD）漂移或缺陷生成，直接威胁产品良率与可靠性。

为此，我们推出DK-S4500F-AMC空气分子污染物监测系统。本系统基于腔增强吸收光谱（CEAS）这一前沿光学检测技术，能够对NH₃、HCl、HF等关键污染物进行sub-ppb级、秒响应的连续精准监测。

原理

DK-S4500F-AMC一举攻克监测难题，可对深紫外光刻尤为敏感的NH₃、HCl、HF实现痕量级（sub-ppb）实时测量，并集成增强离子迁移谱EIMS检测MA、紫外脉冲荧光法测NH₃和NO_x、增强型GC-FID/GC-PID检测MC构成完整解决方案。

痕量级AMC空气分子污染物监测系统

l EIMS离子迁移谱检测Ma（HF、HCl、HNO₃等）

痕量级AMC空气分子污染物监测系统

l 紫外脉冲荧光法检测NH₃和NO_X

痕量级AMC空气分子污染物监测系统

l 增强型GC-FID/GC-PID检测MC（DOP、DBP、DEP、BHT、TVOCs等）

痕量级AMC空气分子污染物监测系统

特性

l sub-ppb级实时测量

l 苛刻危险环境下可连续无人值守测量

l 长期稳定性和可靠性

l
固态电子器件无可移动部件

l 低维护量、长免维护期

l 出厂标定

l 单组份/多组份痕量级气体测量

l 4~64通道多点采样

l 独立可编程报警、继电器设置

l 可独立编程采样点顺序和吹扫通道

l 开放的通讯协议，便于二次开发与集成

l 电源断电或者断闸，数据无丢失

l 触摸屏允许数据显示、表格显示、曲线显示等

l ¼ “外径接口

l 管线：PFA、PVDF

l 距离采样点最长管线：80m

l 可远程操作或可视化操作。

l 校准报告

l 通过采样器或者快速回路泵采样

痕量级AMC空气分子污染物监测系统

应用

l 深紫外（DUV）及先进光刻区AMC实时监控

l 化学机械研磨（CMP）与湿法刻蚀区域酸性/碱性气体监测

l 离子注入与薄膜沉积设备区域AMC控制

l 厂务送风与回风系统AMC溯源与过滤器管理

操作界面

图标和数值趋势圈和数值

痕量级AMC空气分子污染物监测系统

技术参数

量程	根据气体不同，量程可定制		量程比	1:100000
分析下限	Sub-ppb		准确度	2%
响应时间	每个通道5秒		标定	出厂标定完成
检测限(代表性)
HF		0.1ppb	HCL		0.1ppb
TA		0.1ppb	NH₃		＜0.1ppb
N0_x		0.1ppb	DOP		0.1ppb
DBP		0.1ppb	DEP		0.1ppb
BHT		0.1ppb	NMP		0.1ppb
工作条件
温度范围	0℃～+45℃
湿度范围	低于90%RH,无凝露
压力范围	大气压
储存条件
温度范围	-20℃～+60℃
采样条件
温度范围	0～+49℃无凝露
湿度范围	露点+8℃或更高
颗粒物	<1μm
尺寸	根据配置
重量	根据配置
气体接口	PFA、 PVDF，¼ “外径接口，可根据后续需要扩展多种规格接头
电气接口
工作电源	115-230 Vac 50/60 Hz
通讯接口	标配 : RS232 , 可选 : 4-20 mA, Modbus
检测仪配备两路采样接口，配有粉尘颗粒物过滤器
内置抽气泵，最远距离为80米；内置带有7"前置显示器的嵌入式计算机
数据存储约2GB，存储数据量可达2年（连续采样检测间隔15s）
测量结果可以通过U盘，USB口，Ethernet网口，串口导出
自动去除包括水汽、颗粒物等采样气体的干扰
可配置多点采样器，12/24/32/64通道可自由选择
多点采样器使用低吸收率的SiO₂涂层的不锈钢阀组
多点采样器每个通道选择时间可以从1～99min